我国科学家实现微电子领域重大原始创新

复旦大学张卫教授领衔科研团队成功研制世界首个半浮栅晶体管

　　8月9日，由复旦大学电子学院张卫教授领衔团队研发的世界第一个半浮栅晶体管(SFGT)研究论文刊登于《科学》杂志，这是我国科学家首次在该权威杂志发表微电子器件领域的研究成果，标志着我国在全球尖端集成电路技术创新链中获得重大突破。该成果的研制将有助于我国掌握集成电路的核心技术，从而在国际芯片设计与制造领域内逐渐获得更多的话语权。

　　多年来，我国的集成电路制造工艺长期处于全球产业链末端。尽管我国在自主知识产权集成电路技术上取得了长足进步，但集成电路的核心技术基本上由国外公司拥有，我国集成电路产业主要依靠引进和吸收国外成熟的技术，在微电子核心器件及集成工艺上缺乏核心技术。作为微电子领域的重大原始创新，半浮栅晶体管(SFGT)的技术突破将有助于我国掌握集成电路的关键技术，在芯片设计与制造上获得更大的核心竞争力。

　　目前，DRAM、SRAM和图像传感器技术的核心专利基本上都是被美光、三星、Intel、索尼等国外公司控制;在这些领域，中国大陆具有自主知识产权且可应用的产品几乎没有。半浮栅晶体管作为一种基础电子器件，它在存储和图像传感等领域的潜在应用市场规模达到三百亿美元以上。它的成功研制有助于我国掌握集成电路的核心器件技术，是我国在新型微电子器件技术研发上的一个里程碑。

　　张卫教授表示，下一步将本着三方合作的理念，即“设计公司出产品、制造企业生产、复旦大学提供技术支持”，加强产学研紧密合作，努力推进该技术的产业化推广。